Samsung, bugun yaptığı acıklamada 5 nm FinFET ve 5 nm EUV geliştirme surecinin tamamlandığını soyledi. Samsung, bugun yaptığı duyuruda 5 nm FinFET geliştirme surecinin tamamlandığını ve muşteri orneklerinin hazır olduğunu soyledi. Şirket, DRAM (Dinamik RAM) pazarının duşuşte olmasına rağmen urun yelpazesine yeni bir teknoloji daha ekledi. Yarı iletken pazarındaki genel fikir birliği, Samsung’un bu sene icerisinde liderlik koltuğunu Intel’e bırakacağı yonunde. Bununla ilgili ilk tahminler IC Insights ve Gartner’dan geldi. DRAM pazarındaki sorun, bellek fiyatlarındaki duşuşe rağmen talebin beklenen seviyeye gelmemesi. Samsung ise bu endişelere bu alanda cıkardığı yeni urunlerle cevap vermeyi tercih etti. Şirketin son aylarda cıkardığı teknolojiler arasında aşağıdaki urunler bulunuyor. - İlk LPDDR5 SDRAM modulu - İlk eMRAM - İlk HBM2E uyumlu urunu - İlk ucuncu nesil 10 nm sınıfı (1z-nm) 8 GB DDR4 DRAM Guney Koreli teknoloji devi, aynı zamanda Hwaesong’daki yeni fabrikasına yaptığı yatırımları iki katına cıkarmayı duşunuyor. Şirket, bunlara ek olarak 5 nm EUV (aşırı ultraviyole litografi) teknolojisini de listesine ekledi. Samsung, yaptığı acıklamada 5 nm EUV surecini tamamladığını soyledi ve var olan 7 nm işleme teknolojisiyle şoyle kıyasladı: “%20 daha az enerji tuketimiyle birlikte %25 daha fazla verimlilik sağlıyor. Standart hucre mimarisi geliştirme surecinin sonucunda %10 daha yuksek performans veriyor.” Şirket ayrıca fikir haklarının coğunun yeniden kullanılabileceğini acıkladı. Yani bu; muşterilerin azalan taşıma maliyetlerinden ve onceden onaylanmış tasarım ekosisteminden daha fazla yararlanmasına olanak tanınacağı dolayısıyla 5 nm urun geliştirme surecinin kısalacağı anlamına geliyor. __________________