İndiyum galyum cinko oksit veya İGZO, bir yarı iletken malzemesidir.
1995 yılında, Tokyo Teknoloji Enstitusu (Tokyo Institute of Technology) profesoru Hideo Hosono şeffaf esnetilebilen oksit yarı iletken olan bir malzeme icat etti. Bu malzemeye transparent amorphous oxide semiconductors (TAOS) ismini verdi. Bu malzeme kristal uzerinde cok fazla sayıda elektron hareketine izin veriyordu. Fakat bu ilk zamanlarda TAOS cok az dikkat cekmişti. 1999 yılında Japon Teknoloji Ajansı (Japan Science and Technology Agency) Hosono'yu Exploratory Research for Advanced Technology (ERATO) ismini verdiği projesi icin proje lideri olarak secti. Her ERATO projesi JST tarafından secilen yenilikci araştırmacılara ve proje liderlerince serbestce yonetilebilen takımlardan oluşmaktadır. JST, Hosono'nun 5 yıllık projesine her yıl icin 300 milyon yen odenek sağladı. Hosono TAOS icin bircok hammadde denedi. 2004 yılında IGZO kullanarak bir TFT uretti. Bu madde oda sıcaklığında ve plastikten uretilmişti. Elektron hareketliliği, esnek silikon TFT'den 1 dijit daha yuksekti.
IGZO ekranlar daha ince, daha aydınlık ve daha parlak goruntu vermektedir. Geleneksel LCD ekranlardan daha az enerji tuketmektedir. SHARP, 2012 yılının son ceyreğinde 7, 10 ve 32 inch IGZO panellerin seri uretimini yaptığını duyurmuştu.
2013 yılının ortalarında duyurulması beklenen iPhone6'da IGZO panel kullanılacağı soylenmektedir.
__________________