Akıllı telefonların pil omurleri kullandıkları bellek turune gore yuzde 20 uzatılabilecek.
Samsung, faz değişim malzemesi olarak bilinen parcalardan bellek birimleri ureteceğini acıkladı.
Bu birimler, ısınınca veri kaydeden ya da silen bileşenlerden oluşuyor ve mevcut benzerlerinden cok daha az enerji harcıyor.
Samsung, bu bellek birimlerinin 2010 yılı icinde uretilmeye başlanacağını acıkladı.
Firma, PCM yani faz değişim bellek ciplerini mevcut tasarımlarla aynı formatta uretecek. Bu sayede yeni cipler, mevcut uretim hattına kolay uyarlanabilecek.
Faz değişim bellek ciplerinin en yaygın bicimi, cama benzer bir malzeme olan germanyum, antimon ve titanyum alaşımından uretiliyor.
Calışma prensibi
Belirli bir voltajın bu belleğe verilmesiyle oluşan ısı, malzemeyi, elektriğe karşı farklı direncler sergileyen iki ayrı bicime donuşturuyor.
Sonuc olarak da bilgisayar dilindeki 0 ve 1'leri temsil etmek uzere kullanılabiliyor.
Samsung yoneticileri, Taipei'de duzenledikleri mobil teknoloji forumunda, PCM birimlerinin 512 Mbit olarak uretmeye başlayacaklarını acıkladı.
Şirketin yaptığı laboratuar denemesinin sonucları 512 Mbit faz değişim belleğinin, verileri bazı flaş bellek tiplerine gore 10 kata kadar daha hızlı okuyup yazabildiğini ortaya koydu.
Samsung'a gore PCM bellek genel tabloda ise mevcut flaş belleğe gore uc kat civarında bir hız artışı sağlıyor.
Samsung'un bu işlemcileri telefonlarda kullanan ilk firma olacağı duşunuluyor.


veteknoloji.com



__________________