NAND Flash bellek yongası uretiminde sektorun lider isimlerinden biri olan Toshiba, Intel ve Micron ortaklığı olan IM Flash firmasıyla girdiği teknoloji yarışında one gecmeyi hedefliyor. 25nm uretim teknolojisiyle hazırladığı bellek yongalarını, bu yılın sonuna doğru yeni nesil SSD'lerde kullanmaya hazırlanan IM Flash'a yanıt olarak Toshiba, 24nm fabrikasyon sureciyle NAND flash bellek yongası ureteceğini acıkladı. İlk etapta hucre başına bit olmak uzere 64Gb (8GB) yoğunluğunda MLC (Multi Level Cell) tipi yongalar uretecek olan Toshiba, takip eden surecte 3bit yonga uretimine de başlayacak. Daha yuksek transfer hızları icin Toggle DDR teknolojisinin kullanıldığı yeni yongalar sayesinde daha yuksek kapasiteli ve daha duşuk maliyetli depolama suruculerinin de onu acılmış olacak.
Toshiba cephesinden gelen bilgilere gore 24nm NAND flash yongaları ilk olarak SSD'lerde, tablet bilgisayarlarda, akıllı telefonlarda ve diğer ultra-taşınabilir cihazlarda kullanılacak.



DonanımHaber
__________________