Gelişmiş yarı iletken teknolojisinde dunya lideri olan Samsung Electronics, bugun Hwaseong, Kore'deki yeni modern yarı iletken uretim hattının seri uretime başladığını duyurdu. Tesisin, Samsung'un aşırı ultraviyole (EUV) litografi teknolojisine adanmış ilk yarı iletken uretim hattı olduğu biliniyor. Tesiste 7 nanometre (nm) ve altındaki işlem duğumunu kullanarak yonga uretimi yapılıyor.
V1 hattı ismiyle de bilinen tesisin Şubat 2018'de acıldığını ve 2019'un ikinci yarısında test uretimine başladığını belirtmemizde fayda var. Tesisin buna dayanarak ilk urunleri 2020 ’nin ilk ceyreğinde muşterilerine teslim etmesi bekleniyor.
[h=2]Yatırımın 6 milyar dolara ulaşması bekleniyor[/h]
Konuyla ilgili firmadan bir de acıklama geldi. Samsung Electronics Dokum İşletmesi Başkanı Dr. ES Jung yaptığı acıklamada, “Teknoloji liderliği ve tasarım altyapısının yanı sıra imalat mukemmelliği, dokum işinin en onemli unsurlarından biridir. Uretimi artırdığımızda, bu durum V1 hattı pazar talebine cevap verme ve muşterilerimizi destekleme fırsatlarını genişletme yeteneğimizi artıracak” sozlerini kullandı.
Şirket ayrıca, V1 hattının şu anda 7 nm ve 6 nm işlem teknolojisine sahip son teknoloji urunu mobil yongalar uretmekte olduğunu ve 3 nm işlem duğumune kadar daha ince devreleri benimsemeye devam edeceğini de bildirdi.

2020'nin sonunda, V1 hattındaki kumulatif toplam yatırımın, Samsung'un planına gore 6 milyar dolara ulaşması ve 7 nm ve altındaki işlem duğumunun toplam kapasitesinin 2019'un uc katına cıkması bekleniyor. Yarı iletken geometrileri kuculdukce, yongalar uzerindeki karmaşık desenlerin olceklendirilmesini sağladığı ve 5G ve yapay zeka kullanılan yeni nesil uygulamalar icin optimum bir secim sunduğu icin EUV litografi teknolojisinin benimsenmesi giderek daha onemli hale gelmiş durumda.
Samsung ’un V1 hattında seri uretime başlaması, Snapdragon 865 icin bir sozleşme yapmada gec olduğu yorumlarına da sebebiyet verdi. Olayın nasıl şekilleneceğini ilerleyen gunlerde yapılacak yeni acıklamalardan takip edip oğreneceğiz.