Bellek ureticileri, yıllardır RAM ve NAND'ın avantajlarını tek bir bellekte sunabilmenin etkili bir yolunu arıyorlar. Bellek teknolojisindeki gelişmeler, RAM ve SSD'lerin her gecen yıl daha hızlı ve daha verimli hale gelmelerini sağlıyor. Ayrıca bellek ici hesaplama yapmanın bir yolunu bulmaya odaklanan ve esasen bir cihazın işlemci, bellek ve ucucu olmayan RAM ’ler arasında ileri geri veri ihtiyacını ortadan kaldırmayı amaclayan bircok calışma yapılıyor.
İngiltere ’de bulunan Lancaster Universitesi'ndeki araştırmacılar, DRAM hızlarında calışan yeni bir tur kalıcı bellek oluşturduklarını ve bu DRAM turunun veri yazarken ihtiyac duyulan enerjinin sadece yuzde birini kullandığını soyluyorlar. UK III-V Memory adı verilen bu yeni nesil bellek, 20nm litografik surec ile inşa edildi. Yazma sırasında, prototipin 2.1V'luk bir guc kullanarak verileri silebildiği ve programlayabildiği soylenirken, tipik NAND hucrelerinin bunun icin 3V ’luk guc harcadığına dikkat cekildi.

İngiliz araştırmacılar tarafından geliştirilen yeni DRAM turu, tıpkı tabletler ve telefonlar gibi PC ’lerin de anında acılmasına imkan sağlayabilir. Calışmanın lideri Manus Hayne, yeni belleğin verileri yeniden yapılandırması gerekmediğini veya veri butunluğunu sağlamak icin surekli olarak yenilemesi gerekmeyeceğini soyluyor.
UK III-V adındaki DRAM turu, cihazların bir guc kaybı durumunda verileri saklamasını ve verilerin kaldığı yerden yeniden acılmasını sağlayabilir. Patent alma surecinde olduklarını ifade eden Hayne, yeni teknolojinin 100 milyar dolarlık bellek pazarının en onemli oyuncusu olabileceğine inanıyor.
Bu arada Guney Kore merkezli bir yarı iletken ureticisi Hynix, HBM2E teknolojisini temel alan ve saniyede 460GB'ın uzerinde veri aktarabilen dunyanın en hızlı DRAM'ini de uretmeyi planlıyor. Benzer şekilde Intel de Optane DC Kalıcı Bellek DIMM'lerini muşterileriyle buluşturmaya başladı.